سامسونگ با پایبندی به برنامه حمل و نقل خود، اولین سری از تراشه های 3 نانومتری GAA (Gate All Around) خود را به عرضه کرد.
این غول تکنولوژی کره ای مراسمی را برای جشن گرفتن این نقطه عطف برگزار کرد و در این روند، این شرکت با شکست دادن TSMC به اولین سازنده تراشه های 3 نانومتری تبدیل شد.
این مراسم در محوطه دانشگاه Hwaseong در Gyeonggi-do با حضور مدیران سامسونگ و سیاستمداران مختلف برگزار شد.
اگرچه سامسونگ برنامه هایی برای تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری GAA برای فروشندگان گوشی های هوشمند دارد، اولین مجموعه از این تراشه ها برای کوالکام و سایرین طراحی نشده است. در عوض، عرضه اولیه آن برای استخراج کنندگان ارزهای دیجیتال خواهد بود. GAA جدید 3 نانومتری آستانه کارایی جدیدی را معرفی می کند و مصرف انرژی را به شدت کاهش می دهد.
انتظار داریم سامسونگ از فناوری 3 نانومتری GAA برای تولید انبوه تراشه های Exynos 2300 استفاده کند. گذشته از این، این امکان وجود دارد که از این فناوری برای تولید انبوه تراشه های اسنپدراگون 8 نسل 2 آینده برای طیف گوشی های گلکسی S23 استفاده شود، البته اگر شرایط مناسب باشد.
همچنین امکان دارد که کوالکام به طور بالقوه میتواند به استفاده از این تکنولوژی روی بیاورد، اما تنها در صورتی که TSMC با فناوری 3 نانومتری خود با مشکلات تولید مواجه شود. گفته می شود که سامسونگ نمونه هایی را برای این سازنده چیپست در سن دیگو، در صورت سفارش از سوی کوالکوم آماده کرده است.
به عنوان بزرگترین رقیب سامسونگ در زمینه تکنولوژی نیمه هادی، طبق گزارش ها، TSMC تولید انبوه پردازنده های 3 نانومتری خود را اواخر امسال آغاز خواهد کرد. انتظار می رود که شرکت اپل اولین چیپست های M2 Pro و M2 Max خود را برای مدل های بروز رسانی شده خانواده مک بوک پرو و سایر محصولات دریافت کند.
برای یادآوری، گفته میشود که تراشه 3 نانومتری GAA سامسونگ در مقایسه با فناوری 5 نانومتری، مصرف انرژی را تا 45 درصد کاهش میدهد، عملکرد را تا 23 درصد بهبود میبخشد و مساحت آن را نیز تا 16 درصد کاهش میدهد.
سازنده همچنین یک نوع نسل دوم از این فناوری را معرفی خواهد کرد که مصرف برق را تا 50 درصد کاهش خواهد داد، عملکرد را تا 30 درصد افزایش خواهد داد و مساحت را تا 35 درصد کاهش می دهد.